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JAN1N6765R

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N6765R概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 12A, 200V V(RRM), Silicon, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

JAN1N6765R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码TO-254AA
包装说明S-PSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用POWER
外壳连接ISOLATED
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-PSFM-P3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流165 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流12 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/642
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
DUAL ULTRAFAST POWER RECTIFIER
Qualified per MIL-PRF-19500/642
DEVICES
LEVELS
1N6762
1N6763
1N6764
1N6765
1N6762R
1N6763R
1N6764R
1N6765R
JAN
JANTX
JANTXV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Peak Repetitive Reverse Voltage
1N6762, R
1N6763, R
1N6764, R
1N6765, R
Average Forward Current
(1)
Peak Surge Forward Current
Thermal Resistance - Junction to Case
Note:
(1) Derate @ 240mA/°C above T
C
= 100°C
(2) Each individual diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Breakdown Voltage
I
R
= 10µAdc
(2)
Symbol
Value
50
Unit
V
RWM
100
150
200
Vdc
T
C
= +100°C
I
F
I
FSM
R
θjc
12
165
2.0
Adc
A(pk)
°C/W
TO-254
Symbol
V
BR
Min.
50
100
150
200
Max.
Unit
Vdc
1N6762, R
1N6763, R
1N6764, R
1N6765, R
Forward Voltage
(2)
I
F
= 6Adc
I
F
= 12Adc
Reverse Leakage Current
V
R
= 50V
V
R
= 100V
V
R
= 150V
V
R
= 200V
Reverse Leakage Current
V
R
= 50V
T
A
= 100°C
V
R
= 100V
T
A
= 100°C
V
R
= 150V
T
A
= 100°C
V
R
= 200V
T
A
= 100°C
Reverse Recovery Time
I
F
= 1.0A, di/dt = 50A/µs
Junction Capacitance
V
R
= 5Vdc, f = 1.0MHz
V
F1
V
F2
1N6762, R
1N6763, R
1N6764, R
1N6765, R
1N6762, R
1N6763, R
1N6764, R
1N6765, R
0.95
1.05
Vdc
I
R1
10
µAdc
I
R2
500
µAdc
t
rr
C
J
35
300
nS
pF
T4-LDS-0172 Rev. 1 (101036)
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