Power MOSFET, N-Channel, SUPREMOS®, FAST, 600 V, 16 A, 199 mΩ, TO-220, 800-TUBE
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Amphenol(安费诺) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 制造商包装代码 | 340AT |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Is Samacsys | N |
| 雪崩能效等级（Eas） | 355 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 16 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.199 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 10 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 134.4 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 48 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 181 ns |
| 最大开启时间（吨） | 82.6 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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