30V, N ch NexFET MOSFET™, single SON5x6, 3mOhm 8-VSONP -55 to 150
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | 6 X 5 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SON-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Confidence | 4 |
| Samacsys Status | Released |
| Samacsys PartID | 306912 |
| Samacsys Pin Count | 8 |
| Samacsys Part Category | MOSFET (N-Channel) |
| Samacsys Package Category | Other |
| Samacsys Footprint Name | Q5A |
| Samacsys Released Date | 2018-11-26 23:34:33 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 414 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 100 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 100 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 105 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 3.2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 118 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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