电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BSS138LT3G

产品描述Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小178KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
下载文档 详细参数 全文预览

BSS138LT3G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BSS138LT3G - - 点击查看 点击购买

BSS138LT3G概述

Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 50V, 200mA, 3.5Ω, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 10000-REEL

BSS138LT3G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOT-23
包装说明ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数3
制造商包装代码318-08
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time7 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID224526
Samacsys Pin Count3
Samacsys Part CategoryMOSFET (N-Channel)
Samacsys Package CategorySOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint NameSOT−23 (TO−236)-+
Samacsys Released Date2015-07-28 06:47:35
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.2 A
最大漏极电流 (ID)0.2 A
最大漏源导通电阻3.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)5 pF
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 739  2056  2626  1609  2763  15  42  53  33  56 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved