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AS4C1M16S-6TCN

产品描述Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO50, TSOPII-50
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文件大小915KB,共54页
制造商Alliance Memory
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AS4C1M16S-6TCN在线购买

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AS4C1M16S-6TCN概述

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO50, TSOPII-50

AS4C1M16S-6TCN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明TSOP2,
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G50
长度20.95 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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