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BUK962R1-40E,118

产品描述N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小219KB,共13页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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BUK962R1-40E,118概述

N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin

BUK962R1-40E,118规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
制造商包装代码SOT404
Reach Compliance Codenot_compliant
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)622 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)120 A
最大漏极电流 (ID)120 A
最大漏源导通电阻0.0021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)293 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)1078 A
参考标准AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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