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1N6152USE3

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小481KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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1N6152USE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 20.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2

1N6152USE3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最小击穿电压24.42 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
参考标准IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压20.6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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