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1N5812HCEE3

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DIE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5812HCEE3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DIE-1

1N5812HCEE3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明S-XUUC-N1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用ULTRA FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最大输出电流20 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1
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