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1N4006-AP

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小216KB,共4页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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1N4006-AP概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

1N4006-AP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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MCC
Micro Commercial Components
TM
Micro Commercial Components
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N4001
THRU
1N4007
Features
Low Current Leakage
and Low Cost
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1)
("P"Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
1 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Typical Thermal Resistance:
35
°C/W
Junction to
Case
25°C/W
Junction to
Lead at 0.375"
Lead Length P.C.B. Mounted
MCC
Device
Maximum
Maximum Maximum
Catalog
Marking
Recurrent
RMS
DC
Number
Peak
Voltage
Blocking
Reverse
Voltage
Voltage
1N4001
50V
35V
50V
1N4001
1N4002
1N4002
100V
70V
100V
1N4003
1N4003
200V
140V
200V
1N4004
1N4004
400V
280V
400V
1N4005
1N4005
600V
420V
600V
1N4006
1N4006
800V
560V
800V
1N4007
1N4007
1000V
700V
1000V
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
Maximum Reverse
Recovery Time
Rating for fusing
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
1.0A
30A
T
A
= 75°C
8.3ms, half sine
I
FM
= 1.0A;
T
J
= 25°C*
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
t<8.3ms
INCHES
MIN
.166
.080
.028
1.000
D
A
Cathode
Mark
B
D
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
C
1.0V
5.0µA
50µA
15pF
2.0us
3.7A
2
s
DIMENSIONS
MM
MIN
4.10
2.00
.70
25.40
C
J
T
rr
I
2
t
DIM
A
B
C
D
MAX
.205
.107
.034
---
MAX
5.20
2.70
.90
---
NOTE
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 2%
Note:
1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.
www.mccsemi.com
Revision:
D
1 of 4
2012/07/09

 
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