电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N17

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小367KB,共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
下载文档 详细参数 全文预览

1N17在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N17 - - 点击查看 点击购买

1N17概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN

1N17规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOW POWER LOSS
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
MCC
Features
  omponents
21201 Itasca Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
1N17
THRU
1N19
1.0 Amp Schottky
Barrier Rectifier
20 to 40 Volts
High Current Capability
Low Power loss
High Efficiency
Low Forward Voltage Drop
Metal Silicon junction, majority carrier conduction
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55°C to +125°C
Storage Temperature: -55°C to +125°C
Typical Thermal Resistance: 50
o
C/W junction to Ambient
For capacitive load. Derate current by 20%
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
30V
40V
Maximum DC
Blocking
Voltage
20V
30V
40V
D
R-1
MCC
Part Number
1N17
1N18
1N19
Maximum
RMS
Voltage
14V
21V
28V
A
Cathode Mark
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
1N17
1N18
1N19
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
Typical Junction
Capacitance
I
(AV)
I
FSM
1.0A
25A
T
A
= 90°C
8.3ms, half sine
D
B
V
F
C
0.45V
0.55V
0.60V
0.5mA
10mA
110pF
I
FM
= 1.0A;
T
C
= 25°C
DIMENSIONS
INCHES
MM
NOTE
MIN
A
B
C
D
0.116
0.091
0.020
0.787
MAX
0.140
0.102
0.024
-----
MIN
2.90
2.30
0.50
20.00
MAX
3.50
2.60
0.60
-----
I
R
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
Measured at
1.0MHz, V
R
=4.0V
DIM
C
J
Note:
300 us pulse width, 1% duty cycle
www.mccsemi.com

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 22  2564  1637  1365  2907  1  52  33  28  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved