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BZX79-C11

产品描述11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小324KB,共7页
制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
官网地址http://www.vishay.com/
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BZX79-C11概述

11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

BZX79-C11规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压11 V
状态DISCONTINUED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子位置AXIAL
包装材料玻璃
工艺ZENER
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
最大功耗极限0.5000 W
极性单向
二极管类型稳压二极管
工作测试电流5 mA
最大总参考电压5 %

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BZX79 SERIES
SILICON PLANAR ZENER DIODES
DO-35
min. 1.083 (27.5)
FEATURES
The Zener voltages are graded according to the international
E 24 standard. Higher Zener voltages and 1% tolerance
available on request.
max. .150 (3.8)
max.
.079 (2.0)
Diodes available in these tolerance series:
±2% BZX79-B
±3% BZX79-F
±5% BZX79-C
Cathode
Mark
min. 1.083 (27.5)
max.
.020 (0.52)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-35 Glass Case
Weight:
approx. 0.13 g
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature 8unless otherwise specified
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current (see Table “Characteristics”)
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Continuous Forward Current
Peak reverse power dissipation (non-repetitive) t
p
=100ms,
square wave
P
tot
T
j
T
S
I
F
P
ZSM
500
(1)
-65 to 200
-65 to + 200
250
40
mW
°C
°C
mA
Watts
Characteristics at Tamb = 25°C
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance
Junction to Ambient Air
Forward Voltage
at I
F
= 10 mA
R
thJA
0.3
(1)
°C/W
V
F
0.9
Volts
NOTES:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8mm from case.
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