KM2816A-30N概述

EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, PDIP24,

KM2816A-30N规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code	unknow
最长访问时间	300 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	3
端子数量	24
字数	2048 words
字数代码	2000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.05 A
最大压摆率	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
切换位	NO
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

KM2816A-30N相似产品对比

	KM2816A-30N	KM2816A-25	KM2816A-30	KM2816A-35	KM2816A-35N	KM2816A-45N
描述	EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, PDIP24,	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, MOS, PDIP24,	EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, MOS, PDIP24,	EEPROM, 2KX8, 350ns, Parallel, CMOS, PDIP24, PLASTIC, DIP-24	EEPROM, 2KX8, 350ns, Parallel, MOS, PDIP24,	EEPROM, 2KX8, 450ns, Parallel, MOS, PDIP24,
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6	DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown
最长访问时间	300 ns	250 ns	300 ns	350 ns	350 ns	450 ns
命令用户界面	NO	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	NO	NO	NO	NO	NO	NO
JESD-30 代码	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bi	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3
端子数量	24	24	24	24	24	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6	DIP24,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	CMOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	40
切换位	NO	NO	NO	NO	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

推荐资源

FPGA中如何求倒数: 我先要做的是一个定点实数的倒数运算，我用16bit的数表示范围为1.0~15.0的实数,用4bit表示整数，11bit表示小数我的思路是先把1.0~15.0做倒数，然后扩大2048倍（右移11位），但是如果我要精确 ......; wang182004 FPGA/CPLD

IAR 编译错误: Error: a value of type "char const " cannot be used to initialize an entity of type "unsigned char const " const u8 testinf2={" Please wait .. "}; 一个数组16个数，定义没错， ......; eeacc stm32/stm8

【Altera SoC体验之旅】基于SocKit的视频服务器: 本实验是基于官方的演示例程，先上实验现象，再来琢磨具体的技术细节。本实验的基本原理是：HPS侧从SD卡读出MPEG2格式的视频数据，然后通过双核A9解码出RGB格式的视频，通过DMA ......; rowen800 FPGA/CPLD

Quartus II 13.0 sp1无法激活，紧急求助: 本应该支持正版的，无奈囊中羞涩。只能用破解:pleased: 我是在windows server2008 64位系统上安装的Quartus II 13sp1，路径没有中文和空格这个可以确认。我用的文件一些记不清了，应 ......; wsmysyn FPGA/CPLD

感谢1399866558网友，捐赠了大量开发板！: 感谢网友@1399866558向EEWORLD论坛的开发板流动站一次性捐赠了很多块开发板。小管在这里代表EEWORLD站方和可能受惠的网友们向网友1399866558表示衷心的感谢！感谢你对我们论坛的支持！ EEWOR ......; 高进聊聊、笑笑、闹闹

浅谈PIC8位单片机中的RAM和汇编程序的关系: 由于Microchip推出的PIC系列8位单片机是朝着超小型、低功耗、低成本方向发展的，这些产品无功能堆积而以多品种方式来满足各种应用层次的要求，所以PIC 8位单片机的型号特别多，正因为如此，给初 ......; rain Microchip MCU

关于STM32空闲中断

在使用串口接受字符串时，可以使用空闲中断（IDLEIE置1，即可使能空闲中断），这样在接收完一个字符串，进入空闲状态时（IDLE置1）便会激发一个空闲中断。在中断处理函数，我们可以解析这个字符串。需要注意的是，IDLE标志位需要软件清零，否则由于会不断进入中断，而使正常程序无法运行。当再次收到数据时（即RXNE再次置1），等到空闲便会重新进入中断。在STM32F4中，IDLE标志位清零的...[详细]
STM32学习笔记之中断应用概览--以f103为例

　　异常类型　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统，支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]
电动汽车系统中发动机与变速箱的联系

想要理解汽车发动机为什么需要变速箱，首先要理解不同类型的发动机有什么特点。发动机指能够将一种能量形态转化为动能的机器，是一种笼统的概念性定义，并不特指某一种动力元。能定义为发动机的机器有：外燃式发动机、内燃式发动机、涡扇发动机、蒸汽轮机以及电动机等，其中内燃式发动机则是一般理解的发动机，是燃油动力汽车使用的动力元。普通家用汽车使用的内燃机为汽油动力发动机，这种机器的运行步骤为：进气喷油、压缩蒸发...[详细]
全域800V+大电池+全温域5C超充岚海智混技术发布

8月22日，岚图汽车通过线上直播形式正式发布了岚海智混技术。这一项融合了全域800V高压系统、全温域5C超充、63kWh超大电池于一体的智能混动技术，重新定义了混动技术的天花板，实现中国新能源汽车在混动领域的重大技术突破。技术破局，以创新引领混动行业变革中国新能源汽车产业走过了一条从政策驱动到市场驱动、从技术引进到自主研发的跃升之路。混动技术作为过渡阶段的关键路径，经历了四个阶...[详细]
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]
芯科科技即将重磅亮相IOTE 2025深圳物联网展，以全面的无线技术及生态覆盖赋能万物智联

作为低功耗无线连接领域的创新性领导厂商，Silicon Labs（亦称“芯科科技”）将于8月27至29日携其最前沿的人工智能（AI）和物联网（IoT）解决方案在深圳举办的IOTE 2025国际物联网展中盛大展出。这场亚洲极具影响力的物联网行业盛会，将汇聚全球数千家企业与数万专业观众，而芯科科技将通过展演AI/ML、蓝牙信道探测、Matter跨协议和网关技术、低功耗Wi-Fi和Wi-SUN网状网...[详细]
转速DI计数器编码器AB解码转换rs485/232ModbusRTU

在工业生产当场中，经常会用到很多不一样的控制器，例如比如压力的、流量的、电参数、温度的、声音的等等。而因为当场自然环境的限定，很多的控制器数据信号，如压力传感器输出的电压或者电流信号没办法进行远传，或者在控制器走线非常复杂的状况下，人们就会采用分布式系统或是远程控制的数据采集模块在当场把数据信号较高精地转化成大数字量，随后，根据各种各样远传通讯技术如485、232、以太网接口、各种各样wifi网...[详细]
干货 | 虹科KPA MoDK运行环境与搭建步骤(1)——运行环境简介

本系列文章旨在帮助读者对虹科KPA Automation体系进行一个简要的理解，并且能使用MoDK进行快速的上手操作，包括：虹科KPA Automation、虹科KPA MoDK简介，虹科KPA MoDK的运行环境搭建与例程测试。本文档搭建的虹科KPA MoDK运行环境，是基于Win10，并且是以C/C++为开发语言进行的 01虹科KPA Automation运行体系虹科KPA Au...[详细]
晶体三极管和MOS场效应管的特点大不相同

掌握到电子元器件有不一样的封装类型，自打进到电子元器件领域岗位至今，有人说不一样类型的元器件外观设计一样，但内部构造及主要用途是大不一样的，例如：MOS场效应管一共几类种类、MOS场效应管是属于什么控制器件等是我所考虑的难题。殊不知，从线路板中看得见的常见规格、类似的就数多种多样，贴片封装二极管、三极管、MOS场效应管等细小的元器件，小编阅览三极管,场效应管主要参数大全之后，独立汇总出相关MO...[详细]
转子平衡的选择与确定转子动平衡技术的方法

一. 静平衡静平衡在转子一个校正面上进行校正平衡，校正后的剩余不平衡量以保证转子在静态时是在许用不平衡量的规定范围内，称为静平衡又称单面平衡。二. 动平衡动平衡在转子两个或者两个以上校正面上同时进行校正平衡，校正后的剩余不平衡量以保证转子在动态时是在许用不平衡量的规定范围内，称为动平衡又称双面或者多面平衡。三. 转子平衡的选择与确定如何选择转子的平衡方式，是一个关键问题。其选择...[详细]
伺服电机和步进电机的区别

伺服电机又称执行电机，在自动控制系统中，用作执行元件，把收到的电信号转换成电机轴上的角位移或角速度输出。伺服电机内部的转子是永磁铁，驱动器控制的U/V/W三相电形成电磁场，转子在此磁场的作用下转动，同时电机自带的编码器反馈信号给驱动器，驱动器根据反馈值与目标值进行比较，调整转子转动的角度。伺服电机的精度决定于编码器的精度（线数）也就是说伺服电机本身具备发出脉冲的功能，它每旋转一个角度，都会发出对...[详细]
关于造车成本电动汽车和燃油汽车谁更低

电动汽车和燃油车汽车谁的用车成本低，对于用车的人来说，都是十分关注的一个话题，电动汽车在结构上来说，没有发动机等机械传动系统，通过电动机等装置进行驱动，从纯电动汽车在用车成本上面来说，电动汽车在车辆的使用的时候，以电动汽车的用车当中的电费来说，市场上面的电价是0.8一度电。以电池续航在400公里左右的续航，电池容量在40kw的电池来说，充满电只需要32元，就能够行驶400公里左右了，而通用...[详细]
TI NFC产品在智能电视中的应用

摘要 NFC 近场通信(Near Field Communication)是一种短距离的高频无线通信技术，允许电子设备之间进行非接触点对点数据传输 (在十厘米内) 交换数据。这个技术由射频识别技术(RFID)演变而来，且向下兼容RFID.通过在智能电视应用NFC 技术，便于智能手机等设备和电视机实现快速配对，分享内容。也可以实现带NFC 功能遥控器与NFC 电视的轻松配对，镜像模式在几秒内就能激...[详细]
打开IAR工程后，Workspace栏不显示工程的解决办法

有时IAR工程因异常关闭，再次打开IAR工程时，会出现Workspace栏不显示工程的现象，如下图所示：原因：demo.eww文件内容丢失，丢失后demo.eww文件内容的内容如下： ?xml version= 1.0 encoding= UTF-8 ? workspace batchBuild / /workspace 正常的demo.eww文件内容应该如下，即丢失了下述...[详细]
锂电芯对于电动汽车的动力电池而言有多么重要

电动汽车的发展势不可挡，越来越多的人选择新能源汽车，国家带给的补贴，资源紧张，新能源汽车的优势有很多，所以人们的选择也是理所当然的，电动汽车里面比较重要的就是电池了，今天小编就要给你们介绍的就是有关锂电池的知识，最近看见这样的问题为什么锂电芯的一致性对于电动汽车电池这么重要，一起来跟小编看看吧。为什么锂电芯的一致性对于电动汽车电池这么重要：串联。 1、放电：容量不同的电池，放电时，总会有一...[详细]

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多