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CP736V-2N5401

产品描述Power Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小400KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CP736V-2N5401概述

Power Bipolar Transistor,

CP736V-2N5401规格参数

参数名称属性值
Objectid8315788224
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2016-08-22
YTEOL5.72
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
问个非常非常业余的问题
最近在看数电,好多问题都处在模棱两可的状态,比如TTL反相器,里面有句话是“由于T1的集电极回路电阻是R2和T2的b-c结反向电阻之和,阻值非常大,因而T1工作在深度饱和状态”,不清楚的是阻值非 ......
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