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SMBJ6.0AHE3_A/I

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SMBJ6.0AHE3_A/I概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

SMBJ6.0AHE3_A/I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid8345074141
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codeunknown
Country Of OriginMainland China
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time76 weeks
Date Of Intro2019-02-07
YTEOL7.22
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压7.37 V
最小击穿电压6.67 V
击穿电压标称值7.02 V
最大钳位电压10.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)3.5 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
参考标准AEC-Q101; UL RECOGNIZED
最大重复峰值反向电压6 V
最大反向电流800 µA
反向测试电压6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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