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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFD322
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IRFD322

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小136KB，共6页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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IRFD322概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFD322规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1437147635
包装说明IN-LINE, R-PDIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.4 A
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDIP-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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