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20KP58C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小76KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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20KP58C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 20000W, 58V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

20KP58C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1689287521
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
击穿电压标称值67.8 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压94 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散20000 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散7 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压58 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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