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BZW06-8V5B

产品描述600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小297KB,共9页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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BZW06-8V5B概述

600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15

BZW06-8V5B规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DO-15
包装说明PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压9.5 V
击穿电压标称值10 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压18.6 V
配置SINGLE
最小二极管电容1400 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.7 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压8.6 V
最大反向电流10 µA
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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