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RN2310

产品描述TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小151KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2310概述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2310规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SC-70
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
/SDN信号为低电平时,RA是不是来个负向信号才能导通?
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