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RN4602

产品描述100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小151KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN4602概述

100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

RN4602规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明2-3N1A, 6 PIN
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.3 V

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RN4602
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN4602
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
Includeing two devices in SM6 (super mini type with 6 leads)
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Unit in mm
Equivalent Circuit and Bias Resister Values
R1: 10kΩ
R2: 10kΩ
(Q1, Q2 Common)
Q1 Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
JEDEC
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
−50
−50
−10
−100
Unit
V
V
V
mA
2-3N1A
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.015g
Q2 Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Rating
50
50
10
100
Unit
V
V
V
mA
1
2001-06-05

 
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