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25AA020AT-I/MNY

产品描述eeprom 2K 256 X 8 1.8V ser EE ind
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文件大小841KB,共39页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25AA020AT-I/MNY概述

eeprom 2K 256 X 8 1.8V ser EE ind

25AA020AT-I/MNY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time5 weeks
最大时钟频率 (fCLK)3 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度3 mm
内存密度2048 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.11,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

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25AA020A/25LC020A
2K SPI Bus Serial EEPROM
Device Selection Table
Part Number
25AA020A
25LC020A
V
CC
Range
1.8-5.5V
2.5-5.5V
Page Size
16 Bytes
16 Bytes
Temp. Ranges
I
I, E
Packages
P, MS, SN, ST, MN, MC, OT
P, MS, SN, ST, MN, MC, OT
Features:
• 10 MHz max. Clock Frequency
• Low-Power CMOS Technology:
- Max. Write Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz
- Read Current: 5 mA at 5.5V, 10 MHz
- Standby Current: 5
A
at 5.5V
• 256 x 8-bit Organization
• Write Page mode (up to 16 bytes)
• Sequential Read
• Self-Timed Erase and Write Cycles (5 ms max.)
• Block Write Protection:
- Protect none, 1/4, 1/2 or all of array
• Built-in Write Protection:
- Power-on/off data protection circuitry
- Write enable latch
- Write-protect pin
• High Reliability:
- Endurance: 1,000,000 Erase/Write cycles
- Data retention: >200 years
- ESD protection: >4000V
• Temperature Ranges Supported:
- Industrial (I):
-40C to +85C
- Automotive (E):
-40C to +125C
• Pb-Free and RoHS Compliant
Description:
The Microchip Technology Inc. 25XX020A* is a 2 Kbit
Serial Electrically Erasable Programmable Read-Only
Memory (EEPROM). The memory is accessed via a
simple Serial Peripheral Interface (SPI) compatible
serial bus. The bus signals required are a clock input
(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)
lines. Access to the device is controlled through a Chip
Select (CS) input.
Communication to the device can be paused via the
hold pin (HOLD). While the device is paused, transi-
tions on its inputs will be ignored, with the exception of
Chip Select, allowing the host to service higher priority
interrupts.
The 25XX020A is available in standard packages
including 8-lead PDIP and SOIC, and advanced
packages including 8-lead MSOP, 8-lead TSSOP and
rotated TSSOP, 8-lead 2x3 DFN and TDFN, and 6-lead
SOT-23.
Package Types (not to scale)
TSSOP/MSOP
(ST, MS)
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP/SOIC
(P, SN)
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
Pin Function Table
Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
Function
SCK
SOT-23
(OT)
1
2
3
6
5
4
V
DD
CS
SO
DFN/TDFN
(MC, MN)
CS 1
SO 2
WP 3
V
SS
4
8 V
CC
7 HOLD
6 SCK
5 SI
Chip Select Input
Serial Data Output
Write-Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock Input
Hold Input
Supply Voltage
V
SS
SI
X-Rotated TSSOP
(X/ST)
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
*25XX020A is used in this document as a generic part number for the
25AA020A and the 25LC020A.
2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21833F-page 1

25AA020AT-I/MNY相似产品对比

25AA020AT-I/MNY 25LC020AT-I/MNY
描述 eeprom 2K 256 X 8 1.8V ser EE ind eeprom 2K 256 X 8 2.5V ser EE ind
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 DFN DFN
包装说明 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8 2 X 3 MM, 0.75 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TDFN-8
针数 8 8
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 5 weeks 5 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 3 MHz 5 MHz
数据保留时间-最小值 200 200
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 e4
长度 3 mm 3 mm
内存密度 2048 bi 2048 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 256 words 256 words
字数代码 256 256
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 256X8 256X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON HVSON
封装等效代码 SOLCC8,.11,20 SOLCC8,.11,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 2/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.8 mm 0.8 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.005 mA 0.005 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 2 mm 2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE

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