eeprom 8kx8 - 1.8V
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
内存密度 | 65536 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 |
24AA64T/SM | 24AA64/SM | 24AA64XT/ST | 24AA64/P | |
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描述 | eeprom 8kx8 - 1.8V | eeprom 8kx8 - 1.8V | eeprom 8kx8 - 1.8V rot pin | eeprom 8kx8 - 1.8V |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC | SOIC | SOIC | DIP |
包装说明 | 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | 0.208 INCH, PLASTIC, SOIC-8 | TSSOP, TSSOP8,.25 | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 | 200 | 200 | 200 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | e3 |
内存密度 | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi | 65536 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | SOP | TSSOP | DIP |
封装等效代码 | SOP8,.3 | SOP8,.3 | TSSOP8,.25 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | IN-LINE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | NOT APPLICABLE |
电源 | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.65 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 | NOT APPLICABLE |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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