Dual Rail-To-Rail Low-Voltage Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0008 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 83 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA |
| 最大输入失调电压 | 2500 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 0.3 V/us |
| 标称压摆率 | 0.55 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 710 kHz |
| 最小电压增益 | 55000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TLV2262IDR | TLV2262ID | |
|---|---|---|
| 描述 | Dual Rail-To-Rail Low-Voltage Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125 | Dual Rail-To-Rail Low-Voltage Low-Power Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 6 weeks | 1 week |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0008 µA | 0.0008 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 83 dB | 83 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
| 最大输入失调电压 | 2500 µV | 2500 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | YES | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TR | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | +-1.35/+-4/2.7/8 V | +-1.35/+-4/2.7/8 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 0.3 V/us | 0.3 V/us |
| 标称压摆率 | 0.55 V/us | 0.55 V/us |
| 最大压摆率 | 0.5 mA | 0.5 mA |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 710 kHz | 710 kHz |
| 最小电压增益 | 55000 | 55000 |
| 宽带 | NO | NO |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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