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SMSJ100

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小263KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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SMSJ100概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC PACKAGE-2

SMSJ100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1167269984
包装说明R-PDSO-J2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压136 V
最小击穿电压111 V
击穿电压标称值111 V
最大钳位电压179 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-J2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子位置DUAL
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