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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N5630
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2N5630

产品描述Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB，共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N5630概述

Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 120V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL CAN-2

2N5630规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1439169668
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)16 A
集电极-发射极最大电压120 V
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON

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