MXD1210EWE+T

这份文档是关于MXD1210非易失性RAM控制器的数据手册，它提供了一些关键的技术信息，以下是一些重要的点：

1. 产品描述：

   • MXD1210是一款低功耗CMOS电路，可以将标准（易失性）CMOS RAM转换为非易失性存储器。
   • 它还持续监控电源，以在RAM的电源处于边缘（超出容差）状态时提供RAM写保护。

2. 应用领域：

   • 微处理器系统、计算机、嵌入式系统。

3. 主要特点：

   • 电池备份。
   • 内存写保护。
   • 230µA的运行模式静态电流。
   • 2nA的备份模式静态电流。
   • 电池新鲜度密封。
   • 可选的冗余电池。
   • VCC供电开关上的低正向电压降。
   • 5%或10%的电源故障检测选项。
   • 在电源启动时测试电池条件。
   • 8引脚SO封装可用。

4. 电气特性：

   • 包括正常供电模式和电池备份模式下的供电电流、输出供电电压、输入泄漏电流、输出泄漏电流、高电平输出电压、低电平输出电压等。

5. 绝对最大额定值：

   • 包括VCCI到GND、VBATT1到GND、VBATT2到GND、VCCO到GND的电压范围，以及数字输入和输出电压到GND的范围。

6. 推荐操作条件：

   • 包括不同的工作温度范围，以及存储温度范围。

7. 引脚配置：

   • 提供了8引脚PDIP/SO和16引脚宽SO的引脚图和功能描述。

8. 典型操作电路：

   • 展示了MXD1210与RAM和电池连接的典型电路图。

9. 订购信息：

   • 提供了联系Maxim/Dallas Direct的电话号码和网站。

10. 详细描述：

    • 解释了MXD1210执行的五个主要功能，包括RAM电源开关、电源故障检测、写保护、电池冗余和电池状态警告。

11. 新鲜度密封模式：

    • 描述了与电池存储寿命相关的模式，而不是直接与电池备份相关。

12. 电池备份：

    • 描述了MXD1210如何连接以在VCC小于4.75V时写保护RAM，并提供电池备份。

13. 时序特性：

    • 提供了电源启动和电源关闭时的时序图。

14. 芯片拓扑图：

    • 展示了MXD1210的芯片布局和晶体管数量。

15. 封装信息：

    • 提供了SOIC和PDIP封装的详细尺寸和视图。