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MBM2147H-55Z

产品描述IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小318KB,共5页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM2147H-55Z概述

IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC

MBM2147H-55Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1164792508
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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