Datasheet> 器件分类 > 半导体> 其他集成电路（IC）> Si8237BB-B-IS1

Si8237BB-B-IS1: 产品描述gate drivers 2.5kv 0.5A dual isodriver 8V uvlo; 产品类别半导体其他集成电路（IC）; 文件大小620KB，共57页; 制造商Silicon Laboratories Inc; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

Si8237BB-B-IS1在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	Si8237BB-B-IS1	-	-	点击查看	点击购买

Si8237BB-B-IS1概述

gate drivers 2.5kv 0.5A dual isodriver 8V uvlo

Si8237BB-B-IS1规格参数

参数名称	属性值
Manufacture	Silicon Laboratories
产品种类 Product Category	Gate Drivers
RoHS	Yes
Produc	Driver ICs - Various
Configurati	Dual
激励器数量 Number of Drivers	2
Rise Time	20 ns
Fall Time	20 ns
Output Curre	0.5 A
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	5.5 V
Supply Voltage - Mi	4.5 V
Supply Curre	3.5 mA
Maximum Power Dissipati	1.2 W
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 125 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-16 Narrow
类型 Type	Isolated Drivers
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
系列 Packaging	Tube
Power Dissipati	1.2 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	48

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

Si823x

0.5

AND

4 . 0 A

I S O

D R I V E R S

(2.5

AND

RMS

)

Features



Two completely isolated drivers



60 ns propagation delay (max)

in one package



Independent HS and LS inputs or



Up to 5 kV

RMS

input-to-output

PWM input versions

isolation



Transient immunity >45 kV/µs



Up to 1500 V

peak driver-to-



Overlap protection and

driver differential voltage

programmable dead time

HS/LS and dual driver versions



AEC-Q100 qualification

Up to 8 MHz switching frequency



Wide operating range

0.5 A peak output (Si8230/1/2/7)



–40 to +125 °C



RoHS-compliant packages

4.0 A peak output

(Si8233/4/5/6/8)



SOIC-16 wide body

High electromagnetic immunity



SOIC-16



LGA-14

narrow body

Applications



Power delivery systems



Motor control systems



Isolated dc-dc power supplies



Lighting control systems



Plasma displays



Solar and industrial inverters

Safety Approval



UL 1577 recognized





VDE certification conformity



IEC

to 5000 Vrms for 1 minute

CSA component notice 5A

approval



IEC

60747-5-5 (VDE 0884 Part 5)



EN 60950-1 (reinforced

insulation)



60950-1, 61010-1, 60601-1

(reinforced insulation)

CQC certification approval



GB4943.1

Description

The Si823x isolated driver family combines two independent, isolated

drivers into a single package. The Si8230/1/3/4 are high-side/low-side

drivers, and the Si8232/5/6/7/8 are dual drivers. Versions with peak

output currents of 0.5 A (Si8230/1/2/7) and 4.0 A (Si8233/4/5/6/8) are

available. All drivers operate with a maximum supply voltage of 24 V.

The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation

technology, which provides up to 5 kV

RMS

withstand voltage per UL1577

and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the

same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage.

The TTL level compatible inputs with >400 mV hysteresis are available in

individual control input (Si8230/2/3/5/6/7/8) or PWM input (Si8231/4)

configurations. High integration, low propagation delay, small installed

size, flexibility, and cost-effectiveness make the Si823x family ideal for a

wide range of isolated MOSFET/IGBT gate drive applications.

Ordering Information:

See page 39.

Rev. 1.6 4/14

Si823x

Si823x

ABLE

Section

ONTENTS

Page

1. Top-Level Block Diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

2. Electrical Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

2.1. Test Circuits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

3. Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

3.1. Typical Operating Characteristics (0.5 Amp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

3.2. Typical Operating Characteristics (4.0 Amp) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3.3. Family Overview and Logic Operation During Startup . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

3.4. Power Supply Connections . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23

3.5. Power Dissipation Considerations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

3.6. Layout Considerations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.7. Undervoltage Lockout Operation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3.8. Programmable Dead Time and Overlap Protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

4. Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.1. High-Side/Low-Side Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

4.2. Dual Driver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31

4.3. Dual Driver with Thermally Enhanced Package (Si8236) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

5. Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

6. Ordering Guide . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

7. Package Outline: 16-Pin Wide Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43

8. Land Pattern: 16-Pin Wide Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45

9. Package Outline: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46

10. Land Pattern: 16-Pin Narrow Body SOIC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

11. Package Outline: 14 LD LGA (5 x 5 mm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

12. Land Pattern: 14 LD LGA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .49

13. Package Outline: 14 LD LGA with Thermal Pad (5 x 5 mm) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50

14. Land Pattern: 14 LD LGA with Thermal Pad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

15. Top Markings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.1. Si823x Top Marking (16-Pin Wide Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.2. Top Marking Explanation (16-Pin Wide Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

15.3. Si823x Top Marking (16-Pin Narrow Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

15.4. Top Marking Explanation (16-Pin Narrow Body SOIC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

15.5. Si823x Top Marking (14 LD LGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

15.6. Top Marking Explanation (14 LD LGA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

Document Change List . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .55

Contact Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .57

Rev. 1.6

Si8237BB-B-IS1相似产品对比

	Si8237BB-B-IS1	Si8238AD-C-IS	Si8238BD-C-IS	Si8237AB-B-IS1	Si8238AB-C-IS1	Si8237BD-B-IS	Si8238BB-C-IS1
描述	gate drivers 2.5kv 0.5A dual isodriver 8V uvlo	gate drivers 5kv 4A dual isodriver 5V uvlo	gate drivers 5kv 4A dual isodriver 8V uvlo	gate drivers 2.5kv 0.5A dual isodriver 5V uvlo	gate drivers 2.5kv 4A dual isodriver 5V uvlo	gate drivers 5kv 0.5A dual isodriver 8V uvlo	gate drivers 2.5kv 4A dual isodriver 8V uvlo
Manufacture	Silicon Laboratories	-	Silicon Laboratories	-	-	Silicon Laboratories	Silicon Laboratories
产品种类 Product Category	Gate Drivers	-	Gate Drivers	-	-	Gate Drivers	Gate Drivers
RoHS	Yes	-	Yes	-	-	Yes	Yes
Produc	Driver ICs - Various	-	Driver ICs - Various	-	-	Driver ICs - Various	Driver ICs - Various
Configurati	Dual	-	Dual	-	-	Dual	Dual
激励器数量 Number of Drivers	2	-	2	-	-	2	2
Rise Time	20 ns	-	12 ns	-	-	20 ns	12 ns
Fall Time	20 ns	-	12 ns	-	-	20 ns	12 ns
Output Curre	0.5 A	-	0.5 A	-	-	0.5 A	0.5 A
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	5.5 V	-	5.5 V	-	-	5.5 V	5.5 V
Supply Voltage - Mi	4.5 V	-	4.5 V	-	-	4.5 V	4.5 V
Supply Curre	3.5 mA	-	3.5 mA	-	-	3.5 mA	3.5 mA
Maximum Power Dissipati	1.2 W	-	1.2 W	-	-	1.2 W	1.2 W
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 125 C	-	+ 125 C	-	-	+ 125 C	+ 125 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	-	SMD/SMT	-	-	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-16 Narrow	-	SOIC-16 Wide	-	-	SOIC-16 Wide	SOIC-16 Narrow
类型 Type	Isolated Drivers	-	Isolated Drivers	-	-	Isolated Drivers	Isolated Drivers
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	-	- 40 C	-	-	- 40 C	- 40 C
系列 Packaging	Tube	-	Tube	-	-	Tube	Tube
Power Dissipati	1.2 W	-	1.2 W	-	-	1.2 W	1.2 W
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	48	-	46	-	-	46	48

推荐资源

处理一下剩余的EE_FPGA学习板: 准备处理一下剩余的EE_FPGA学习板，需要的加我QQ:36886052, 或加入EE_FPGA学习群：139459200板子详情具体的可去看看https://bbs.eeworld.com.cn/thread-313459-1-1.html 可统一拍这个淘宝地址 ......; chenzhufly 淘e淘

msp430f147.148.149中有没有上电自动复位功能,需要外接上电复位电路吗?: 在仿真过程中,通过仿真器将程序写入片子里,拔掉仿真器有时候会遇上程序不运行情况,请问:msp430f147.148.149中有没有上电自动复位功能,需要外接上电复位电路吗?...; zhazhyrjkf3 微控制器 MCU

为什么我们需要一门新语言-Go语言: 136171136172 今天在图书馆了借本书！...; qinkaiabc 编程基础

mini2440手册最新版: 这是2010年2月的最新手册...; wuquan-1230 嵌入式系统

单片机工程师技术交流: 群里都是有过项目经验的单片机工程师,欢迎大家一起交流, 群号码:40274414 只接受有项目经验的单片机工程师加入,无项目经验者勿加,加入时必须写明做过哪个项目, 本帖最后由 capple 于 2008- ......; wmen 单片机

低速电动汽车调研: 关于电动汽车已经研究这么多年了，还是很难走入千家万户，相反，电动摩托车和电动自行车却销量很好这是一个看到的调研报告，希望能得到一点启发...; sjl2001 汽车电子

便携式医疗设备中的信号调整

　　现今的医疗便携设备方便病人自行诊疗、自由走动，甚至可在外出时使用设备。便携式电子医疗设备要实现"方便携带"的特色功能，就必须具备微型化和低功耗的特性。　　此外，这些设备还要有极高的精度以确保病人的安全。医疗设备采用多种不同的传感器来监视病人的健康状况，然后传感器将生理信号转换成电子信号供电子设备分析使用。由于医疗设备中传输的信号都比较微弱，而且还会受到诸多噪声源的干扰，因此信号路径设计对...[详细]
2011年供应链解决方案推动超高频RFID市场

2007年8月27日--据IDC最新发布的报告《中国RFID行业解决方案市场2007－2011年预测与分析》（文档号#CN383110P）显示，2006年RFID跨行业应用总体市场规模为 24.2亿元（约3.02亿美元），涵盖的应用领域包括供应链、人员、财产、车辆管理，门禁控制、防伪、动物识别等，其中超高频RFID应用市场规模占RFID总体应用规模的10.4%。2006年的超高频市场在供应链、车...[详细]
英特尔下周一将发布迅驰2平台

　　随着笔记本电脑出货量开始超过台式电脑的出货量，每一次推出新的笔记本电脑平台对于英特尔来说都是非常重要的。英特尔将在7月14日星期一推出迅驰2平台，这个产品原来的代号是“Montevina”。由于英特尔自己为这个平台制作的集成的图形卡出现了问题，迅驰2平台的推出比英特尔原来的计划晚了几个星期。　　事实上，采用英特尔自己的集成的图形卡的迅驰2笔记本电脑在下周一还不能上市。下周一上市的只有配置...[详细]
佳能抢滩医疗可保持高增长

　　　“我们今年2月21日拿到中国市场医疗设备产品销售许可证，截至6月底，已经获得了200%的增长。”6月27日，佳能中国区医疗设备产品销售总经理关口三津夫告诉记者，今年初，其领导的中国区医疗部门才刚刚启动销售业务。　　去年末，佳能公司代表取缔役社长御手洗冨士夫首次将医疗业务列为打印、影像外的第三大支柱业务。截至2007财年末，佳能全球销售额中打印业务占据65%、影像业务占26%，而以医疗为...[详细]
磁共振成像(MRI)

　　医疗成像正在取得显著进步。磁共振成像有助于检查患者体内的组织活动，可提供优质的软组织对比图像。ST提供从分立器件到32位数字处理器和存储器的广泛产品组合，帮助进一步加强磁共振成像应用。以下结构方块图可帮助您在众多推荐的适用产品中进行选择。 ...[详细]
NEC电子与桑乐太阳能建联合实验室

　　近日，NEC电子的全资子公司日电电子（中国）有限公司与山东桑乐太阳能有限公司达成协议，在桑乐内成立联合实验室，使用NEC电子全球领先的微控制器产品，共同开发太阳能控制领域产品。　　山东桑乐太阳能有限公司成立于1994年，前身为“山东省科学院能源研究所太阳能研究室”，早在1987年就开始了太阳能热水器的市场化推广，是我国最早从事太阳能热利用研究和开发的单位之一。经过二十余年的发展，现已成为集...[详细]
AMD推出巴塞罗那“芯”动曙光5000A

　　自AMD推出真四核皓龙处理器“巴塞罗那”后，一直在寻找发力的机会，中国首款百万亿次超级计算机曙光5000A的出现，让“巴塞罗那”站了起来。　　首款百万亿次计算机亮相　　7月8日，《华夏时报》记者获悉中国首款百万亿次超级计算机曙光5000A宣布正式推出，并将落户上海超级计算中心。　　据悉，此超级计算机拥有超过200万亿次的超强计算能力，有消息称此计算机运算能力相当于世界第七，从性能...[详细]
尽可能提高测试系统利用效率的三种策略

　　尽可能提高仪器利用率减少测试次数　　增加自动化测试系统的吞吐量可以提高效率。使用例如多核处理器、PCI Express、现场可编程门阵列（FPGA）以及NI LabVIEW软件等成品工具（COTS），可以建立并行处理和并行测量系统，从而能够在最短的时间内测试单一被测单元（UUT）。并行测试明显地降低了总测试次数，并且提高了仪器利用率（见图1），但是开发并行测试系统的复杂性是很高的。开...[详细]
AMD将放弃掌上设备和数字电视芯片业务

　　据国外媒体报道，AMD周四宣布，已决定退出掌上设备和数字电视芯片市场。　　由于最近几个季度持续亏损，AMD日前决定放弃掌上设备和数字电视图形芯片业务。为此，AMD将一次性支出8.76亿美元，占第二季度亏损额的绝大部分。AMD第二季度预计将亏损12亿美元。　　这笔费用与2006年AMD以54亿美元收购ATI交易的商誉有关。AMD当时认为收购ATI交易的商誉高达32亿美元，由于放弃ATI...[详细]
台积电MEMS代工获美ADI订单产能拉高

　　台积电于微机电(MEMS)代工领域出现重大突破，在试产逾1年后，近期终于获得美商ADI公司MEMS大订单，初步估算未来每月产能需求约2,000~3,000片，对于台积电而言，由过去专注于IC晶圆代工成功跨足至新代工领域，可望进一步分散经营风险，减少受到整体半导体景气影响程度，且由于当前能够做MEMS的晶圆代工厂屈指可数，加上MEMS代工毛利高于一般IC，有助于提升台积电整体毛利率。台积电对此则...[详细]
Heptagon用300mm晶圆生产高耐热透镜

　　奥地利EVGroup（EVG）宣布，为形成手机用相机模块高耐热镜头，芬兰HeptagonOy采用了EVG的光刻机(MaskAligner)“IQAligner”。EVG高级副总裁HermannWaltl表示，Heptagon采用的是支持300mm晶圆的装置。该装置已提供给Heptagon的制造子公司——新加坡HeptagonMicro-OpticsPte。　　Heptagon是于1993...[详细]
从ARM的发展模式看企业的自我定位

ARM这家以设计和出售微处理器架构知识产权为盈利模式的公司，打入了无数芯片巨人和产业巨鳄的心脏部位——除了动辄百万美金的IP使用授权费，每一个采用了ARM架构的芯片还将在量产之后交纳一笔版税费用。根据ARM公司的公开资料，目前这家公司已经有187个处理器授权客户，每个客户交纳的授权费都在数十万美金左右，其中69家已经实现量产，这些 Asic芯片的版权费约为几个每分。　　仅仅2006年，...[详细]
新一代RISC微处理器ARM11的特点技术

ARM11系列微处理器是ARM公司近年推出的新一代RISC处理器，它是ARM新指令架构——ARMv6的第一代设计实现。　　该系列主要有ARM1136J,ARM1156T2和ARM1176JZ三个内核型号，分别针对不同应用领域。　　本文将对全新的ARMv6架构进行介绍，并深入分析ARM11处理器的先进特点和关键技术。 ARMv6结构体系　　实现新一代微处理器的第一步就是订立一个...[详细]
ARM与NVIDIA合作发布移动互联网设备SoC方案

ARM公司日前宣布，在2008台北国际电脑展（COMPUTEX TAIPEI 2008）上发布的NVDIA Tegra移动片上电脑，是基于ARM11 MPCore多核处理器技术而设计。作为世界上最小的、全高清片上电脑，NVIDIA Tegra针对下一代智能手机和移动互联网设备（MID）进行了优化，为用户提供完整的互联网体验、高清视频和绝佳的3D触摸界面。这是ARM处理器技术第一次被授权专门...[详细]
基于FPGA的相检宽带测频系统的设计

　　在电子测量技术中，频率测量是最基本的测量之一。常用的测频法和测周期法在实际应用中具有较大的局限性，并且对被测信号的计数存在±1个字的误差。而在直接测频方法的基础上发展起来的等精度测频方法消除了计数所产生的误差，实现了宽频率范围内的高精度测量，但是它不能消除和降低标频所引入的误差。本文将介绍的系统采用相检宽带测频技术，不仅实现了对被测信号的同步，也实现了对标频信号的同步，大大消除了一般测频系统...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多