Memory Circuit, EPROM+SRAM, CMOS, CPGA66
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 1154963012 |
包装说明 | PGA, PGA66,11X11 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | SRAM IS ORGANISED AS 32K X 16 |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 27.33 mm |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | EPROM+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX16 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA66,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
座面最大高度 | 8.13 mm |
最大待机电流 | 0.004 A |
最大压摆率 | 0.146 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 6.25 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
宽度 | 27.33 mm |
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