AS4C8M16D1-5TCN,AS4C8M16D1-5TCN pdf中文资料,AS4C8M16D1-5TCN引脚图,AS4C8M16D1-5TCN电路-Datasheet-电子工程世界

AS4C8M16D1-5TCN: 产品描述dram 128mb, 3.3V, 200mhz 8M x 16 ddr; 产品类别半导体其他集成电路（IC）; 文件大小1002KB，共64页; 制造商All Sensors; 标准

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dram 128mb, 3.3V, 200mhz 8M x 16 ddr

参数名称	属性值
Manufacture	Alliance Memory
产品种类 Product Category	DRAM
RoHS	Yes
Data Bus Width	16 bi
Organizati	8 Mbit x 16
封装 / 箱体 Package / Case	TSOP-66
Memory Size	128 Mbi
Maximum Clock Frequency	200 MHz
Access Time	64 ms
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	2.7 V
Supply Voltage - Mi	2.3 V
Maximum Operating Curre	120 mA
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	108

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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