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BZV55-B12

产品描述12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小296KB,共7页
制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
官网地址http://www.vishay.com/
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BZV55-B12概述

12 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZV55-B12规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
额定工作电压12 V
加工封装描述GLASS, MINI MELF-2
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
表面贴装Yes
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
包装材料GLASS
工艺ZENER
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限0.4000 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型VOLTAGE REGULATOR DIODE
工作测试电流5 mA
最大总参考电压2 %

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NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
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BZV55 SERIES
ZENER DIODES
Mini-MELF
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
.063 (1.6)
.055 (1.4)
Cathode Mark
For use as low voltage stabilizer or
voltage reference.
The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Higher Zener voltages
and 1% tolerance available on request.
Diodes available in these tolerance series:
±
2% BZV55-B,
±
3% BZV55-F,
±
5% BZV55-C.
MECHANICAL DATA
Case:
Mini-MELF Glass Case (SOD-80)
Weight:
approx. 0.05 g
Cathode band color:
Blue
.142 (3.6)
.134 (3.4)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
Dimensions are in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current see Table “Characteristics”
Power Dissipation at T
flange
= 50°C
Power Dissipation at T
A
= 50°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Continuous Forward Current
Peak reverse power disipation (non-repetitive) tp=100µs
P
tot
P
tot
T
j
T
S
I
F
P
ZSM
500
400
(1)
mW
mW
°C
°C
mA
W
–65 to +200
–65 to +200
250
30
(2)
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to Lead
Forward Voltage at I
F
= 10 mA
R
thJA
R
thJL
V
F
0.38
0.9
(1)
K/mW
K/mW
V
0.30
NOTES:
1) Mounted on ceramic substrate 10mm x 10mm x 0.6mm
2) Tj = 150°C
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