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MBRH20020RL

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 200A, 20V V(RRM), Silicon, HALF PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小870KB,共2页
制造商Daco Semiconductor Co Ltd
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MBRH20020RL概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 200A, 20V V(RRM), Silicon, HALF PACKAGE-1

MBRH20020RL规格参数

参数名称属性值
Objectid1286209916
包装说明R-XUFM-X1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.58 V
JESD-30 代码R-XUFM-X1
最大非重复峰值正向电流3000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度100 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流200 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压20 V
最大反向电流3000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER

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DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Features
MBRH20020(R)L
LOW VF SCHOTTKY DIODE MODULE TYPE 200A
High Surge Capability
200 Amp Recti er
20Volts
Maximum Ratings
Part Number
MBRH20020(R)L
HALF PACKAGE
D
G
K
F
Operating Temperature: -40 C to +100
Storage Temperature: -40 C to +150
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
20V
Maximum
RMS Voltage
14V
Maximum DC
Blocking
Voltage
20V
J
B
E
H
C
A
L
Electrical Characteristics
@
25
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Unless Otherwise Specified
200A
3000A
0.58V
I
F(AV)
I
FSM
V
F
TC =100
8.3ms , half sine
I FM
=200 A;T
J
=25
DIM
Baseplate
Common Cathode
Baseplate
R=Common Anode
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
Maximum
Instantaneous
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
(Per leg)
Maximum Thermal
Resistance Junction
To Case
Inches
Min
Max
1.560
0.775
0.625
1.192
0.744
0.160
1/4–20 UNC
0.540
0.156
0.480
0.120
0.580
0.160
0.492
0.130
13.72
3.96
12.20
3.05
Min
38.48
18.42
15.11
30.02
18.70
3.86
Millimeters
Max
39.62
19.69
15.88
30.28
18.90
4.061
A
1.515
0.725
0.595
1.182
0.736
0.152
3
mA
I
R
150
mA
TJ = 25
TJ = 100
B
C
D
E
R jc
0.35
/W
F
G
H
J
14.73
4.06
12.50
3.30
NOTE :
(1)
Pul s e T es t: Pul s e W idth 300 usec, Duty C ycle
<
2%
K
L
www.dacosemi.com.tw
-1-

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