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CD74HC40105M

产品描述High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125
产品类别存储    存储   
文件大小508KB,共23页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
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CD74HC40105M概述

High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125

CD74HC40105M规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP16,.25
针数16
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
最长访问时间2250 ns
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
周期时间500 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e4
长度9.9 mm
内存密度64 bi
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度4
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量16
字数16 words
字数代码16
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16X4
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/6 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm

CD74HC40105M相似产品对比

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描述 High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125 High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125 High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-PDIP -55 to 125 Registers Hi Spd CMOS Log 4B by 16-Word FIFO Reg High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-PDIP -55 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOIC SOIC DIP SOIC DIP
包装说明 SOP, SOP16,.25 SOP, SOP16,.25 DIP-16 SOP, SOP16,.25 DIP, DIP16,.3
针数 16 16 16 16 16
Reach Compliance Code compli compli compli compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 2250 ns 2250 ns 2250 ns 2250 ns 2250 ns
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 12 MHz 10 MHz
周期时间 500 ns 100 ns 100 ns 100 ns 500 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16 R-PDSO-G16 R-PDIP-T16
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4
长度 9.9 mm 9.9 mm 19.305 mm 9.9 mm 19.305 mm
内存密度 64 bi 64 bi 64 bi 64 bi 64 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16 16
字数 16 words 16 words 16 words 16 words 16 words
字数代码 16 16 16 16 16
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 16X4 16X4 16X4 16X4 16X4
可输出 YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP DIP SOP DIP
封装等效代码 SOP16,.25 SOP16,.25 DIP16,.3 SOP16,.25 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 5 V 5 V 5 V 2/6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 6 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 5 V 5 V 5 V 4.5 V
表面贴装 YES YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 含铅 -
Factory Lead Time 6 weeks 1 week - - 1 week
湿度敏感等级 1 1 - 1 -
输出特性 3-STATE 3-STATE - - 3-STATE
电路设计注意事项
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