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7130LA55L52

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC52
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文件大小1MB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7130LA55L52概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQCC52

7130LA55L52规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1167346917
包装说明QCCN, LCC52,.75SQ
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-XQCC-N52
JESD-609代码e0
内存密度8192 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC52,.75SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
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