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25A512T-I/ST

产品描述eeprom 512k 64k X 8 1.8V ser EE ind
产品类别存储    存储   
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25A512T-I/ST概述

eeprom 512k 64k X 8 1.8V ser EE ind

25A512T-I/ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP,
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
最大时钟频率 (fCLK)10 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型SPI
最大供电电压 (Vsup)3 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

25A512T-I/ST相似产品对比

25A512T-I/ST 25A512T-I/SN
描述 eeprom 512k 64k X 8 1.8V ser EE ind eeprom 512k 64k X 8 1.8V ser EE ind
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 TSSOP, SOP,
针数 8 8
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 13 weeks 15 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 10 MHz 10 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
长度 4.4 mm 4.9 mm
内存密度 524288 bi 524288 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
湿度敏感等级 1 3
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.75 mm
串行总线类型 SPI SPI
最大供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 3 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms
Base Number Matches 1 1
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