sram 512k 2.5V spi serial sram vbat
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
包装说明 | TSSOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 6 weeks |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 524288 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
筛选级别 | TS 16949 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 3 mm |
23LCV512T-I/ST | 23LCV512T-E/SN | 23LCV512-I/P | 23LCV512-I/SN | 23LCV512-E/SN | 23LCV512-E/ST | 23LCV512-E/P | 23LCV512-I/ST | |
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描述 | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | sram 512k 2.5V spi serial sram vbat | IC NVSRAM 512K SPI 20MHZ 8DIP | 存储器接口类型:SPI - Dual I/O 存储器容量:512Kb (64K x 8) 工作电压:2.5V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 512Kb (64K x 8) SPI - 双 I/O |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | - | - | NVSRAM(非易失性 SRAM) | CMOS |
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