电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

23LCV512T-I/ST

产品描述sram 512k 2.5V spi serial sram vbat
产品类别存储    存储   
文件大小680KB,共30页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
下载数据手册 下载用户手册 详细参数 选型对比 全文预览

23LCV512T-I/ST概述

sram 512k 2.5V spi serial sram vbat

23LCV512T-I/ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microchip(微芯科技)
包装说明TSSOP-8
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度524288 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
筛选级别TS 16949
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm

23LCV512T-I/ST相似产品对比

23LCV512T-I/ST 23LCV512T-E/SN 23LCV512-I/P 23LCV512-I/SN 23LCV512-E/SN 23LCV512-E/ST 23LCV512-E/P 23LCV512-I/ST
描述 sram 512k 2.5V spi serial sram vbat sram 512k 2.5V spi serial sram vbat sram 512k 2.5V spi serial sram vbat sram 512k 2.5V spi serial sram vbat sram 512k 2.5V spi serial sram vbat sram 512k 2.5V spi serial sram vbat IC NVSRAM 512K SPI 20MHZ 8DIP 存储器接口类型:SPI - Dual I/O 存储器容量:512Kb (64K x 8) 工作电压:2.5V ~ 5.5V 存储器类型:Non-Volatile NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 512Kb (64K x 8) SPI - 双 I/O
技术 CMOS - CMOS CMOS - - NVSRAM(非易失性 SRAM) CMOS

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 147  372  569  913  1069 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved