6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | R-PSFM-T4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 50 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 6 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 265 |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 50 V |
最大反向电流 | 0.00001 µA |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
RS601M | RS607M | |
---|---|---|
描述 | 6 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 6 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | R-PSFM-T4 | R-PSFM-T4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | _compli | _compli |
其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 50 V | 1000 V |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T4 | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
最大非重复峰值正向电流 | 150 A | 150 A |
元件数量 | 4 | 4 |
相数 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
最大输出电流 | 6 A | 6 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 265 | 265 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 50 V | 1000 V |
最大反向电流 | 0.00001 µA | 0.00001 µA |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved