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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MM2147J1L
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MM2147J1L

产品描述IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC
产品类别存储    存储   
文件大小246KB，共5页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

MM2147J1L概述

IC,SRAM,4KX1,MOS,DIP,18PIN,CERAMIC

MM2147J1L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid1435210513
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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