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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> RS605
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RS605

产品描述6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB，共2页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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RS605概述

6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

RS605规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron Semiconductor
包装说明R-PSFM-W4
针数4
Reach Compliance Code_compli
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压600 V
外壳连接ISOLATED
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码R-PSFM-W4
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）265
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流0.00001 µA
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
RS601
THRU
RS607
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 6.0 Amperes
FEATURES
*
*
*
*
*
Low leakage
Low forward voltage
Mounting position: Any
Surge overload rating: 250 amperes peak
Silver-plated copper leads
RS-6
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Dimensions in inches and (millimeters)
o
MAXIMUM RATINGS
(At T
A
= 25
o
C unless otherwise noted)
RATINGS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 75 C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating and Storage Temperature Range
T
J,
T
STG
-55 to + 150
0
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
RS601
50
35
50
RS602
100
70
100
RS603
200
140
200
RS604
400
280
400
6.0
250
RS605
600
420
600
RS606
800
560
800
RS607
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At T
A
= 25 C unless otherwise noted)
CHARACTERISTICS
Maximum Forward Voltage Drop per element at 6.0A DC
Maximum Reverse Current at Rated
DC Blocking Voltage per element
@T
A
= 25
o
C
@T
C
= 100
o
C
SYMBOL
V
F
I
R
0.2
mAmps
1998-8
RS601
RS602
RS603
RS604
1.0
10
RS605
RS606
RS607
UNITS
Volts
uAmps
o

RS605相似产品对比

RS605 RS604 RS603
描述 6 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 6 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor Rectron Semiconductor
包装说明 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 ROHS COMPLIANT, PLASTIC, RS-6, 4 PIN
针数 4 4 4
Reach Compliance Code _compli _compli compliant
其他特性 UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 600 V 400 V 200 V
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
JESD-30 代码 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
JESD-609代码 e3 e3 e3
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A
元件数量 4 4 4
相数 1 1 1
端子数量 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 6 A 6 A 6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 265 265 265
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V 200 V
最大反向电流 0.00001 µA 0.00001 µA 0.00001 µA
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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