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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> RS804
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RS804

产品描述8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小33KB，共2页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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RS804概述

8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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MCC
Features
•
•
•
•
•
RS801
  

  
 
  !"#
$ %    !"#
THRU
RS807
8 Amp Single Phase
Bridge Rectifier
50 to 1000 Volts
RS-6
A
D
Low Leakage
Low Forward Voltage
Any Mounting Position
Silver Plated Copper Leads
Surge Overload Rating Of 300 Amps
Maximum Ratings
•
•
Operating Junction Temperature: -55°C to +150°C
Storage Temperature: -55°C to +150°C
Microsemi
Catalog
Number
RS801
RS802
RS803
RS804
RS805
RS806
RS807
Device
Marking
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
Maximum
RMS
Voltage
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
Maximum
DC
Blocking
Voltage
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000v
B
C
RS801
RS802
RS803
RS804
RS805
RS806
RS807
-
A
+
E
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
Peak Forward Surge
Current
Maximum Forward
Voltage Drop Per
Element
I
F(AV)
I
FSM
8.0A
300A
T
A
= 65°C
8.3ms, half sine
I
H
F
G
V
F
1.1V
I
FM
= 4.0A;
T
J
= 25°C
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.895
---
.660
.15∅ x
1.00
.048
.260
.180
.185
MM
MIN
22.70
---
16.80
3.8∅ x
25.40
1.20
6.60
4.60
4.70
Maximum DC
Reverse Current At
I
R
10µA
T
J
= 25°C
Rated DC Blocking
1mA
T
J
= 100°C
Voltage
*Pulse test: Pulse width 300
µsec,
Duty cycle 1%
MAX
.935
.760
.700
.23L
---
.052
.280
.220
.205
MAX
23.70
19.30
17.80
5.57L
---
1.30
7.10
5.60
5.20
NOTE
HOLE
TYP
www.mccsemi.com

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RS804 RS807 RS806 RS805 RS803 RS802 RS801
描述 8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 8 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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