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M24256-BWMC3G/AB

产品描述IC,SERIAL EEPROM,32KX8,CMOS,LLCC,8PIN,PLASTIC
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文件大小427KB,共41页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M24256-BWMC3G/AB概述

IC,SERIAL EEPROM,32KX8,CMOS,LLCC,8PIN,PLASTIC

M24256-BWMC3G/AB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid113491326
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-N8
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装等效代码SOLCC8,.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.005 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
写保护HARDWARE

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M24256-BF M24256-BR M24256-BW
M24256-DR
256 Kbit serial I²C bus EEPROM
with three Chip Enable lines
Features
Compatible with all I
2
C bus modes:
– 1 MHz Fast-mode Plus
– 400 kHz Fast mode
– 100 kHz Standard mode
Memory array:
– 256 Kb (32 Kbytes) of EEPROM
– Page size: 64 bytes
M24xxx- DR: additional Write lockable Page
(Identification page)
Single supply voltage:
– 1.7 V to 5.5 V
– 1.8 V to 5.5 V
– 2.5 V to 5.5 V
Noise suppression
– Schmitt trigger inputs
– Input noise filter
Write
– Byte write within 5 ms
– Page write within 5 ms
Random and sequential read modes
Write protect of the whole memory array
Enhanced ESD/latch-up protection
More than 1 million write cycles
More than 40-year data retention
Packages
– ECOPACK
(RoHS compliant and
halogen-free)
UFDFPN8
(MB, MC)
TSSOP8 (DW)
SO8 (MN)
150 mils width
WLCSP (CS)
November 2011
Doc ID 6757 Rev 25
1/41
www.st.com
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