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RSA-6.1J4

产品描述80 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小38KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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RSA-6.1J4概述

80 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

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RSA6.1J4
Diodes
ESD Protection diode
RSA 6.1J4
Application
ESD protection
External dimensions
(Units : mm)
0.2
+
0.1
1.6
+
0.1
0.22
+
0.05
(1)
(2)
(3)
0.5
+
0.05
1.2
+
0.1
+
0.1
1.6
Construction
Silicon epitaxial planar
0.5 0.5
1.0
+
0.1
0.2
+
0.1
ROHM : EMD5
EMD5
Circuit
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Peak pulse power-1 (tp=10×1000µs)
Peak pulse power-2 (tp=8×20µs)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
Ppk
Ppk
Limits
10
80
150
−55
to
+150
Tj
Tstg
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Rating of per diode.
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Forward voltage
Junction capacitance
Symbol
V
Z
I
R
V
F
Ct
Min.
6.10
Typ.
35
Max.
7.20
1
1.0
Unit
V
µA
V
pF
I
Z
=1mA
V
R
=3.0V
I
F
=100mA
V
R
=0V, f=1MHz
Conditions
Zener voltage (Vz) shall be measured at 40ms after loading current.
Please pay attention to static electricity when handling.
E61
(4)
(5)
Features
1) Ultra small mold type. (EMD5)
2) High reliability.
0~0.1
0.13
+
0.05
(Each lead has same dimensions)
Unit
W
W
˚C
˚C
1/2

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