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KMM466S803AT2-F2

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, PDMA144
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文件大小773KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KMM466S803AT2-F2概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, PDMA144

KMM466S803AT2-F2规格参数

参数名称属性值
Objectid1516461000
包装说明DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间8 ns
最大时钟频率 (fCLK)83 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N144
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度29.21 mm
最大待机电流0.016 A
最大压摆率0.92 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
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