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RSX201L-30

产品描述2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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RSX201L-30概述

2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

RSX201L-30规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明PMDS, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.44 V
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e1
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.018 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10

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RSX201L-30
Diodes
Shottky barrier diode
RSX201L-30
Application
High efficient shottky barrier diode.
Rectifier for power supply units.
Battery protection against reversal current
External dimensions
(Unit : mm)
CATHODE MARK
1.5
±
0.2
1.2
±
0.3
Features
1) Small mold type power diode (PMDS (4526) )
2) High reliability
(ESD resistance typ=22kV (machine model) )
3) Low V
F
/ Low I
R
(V
F
=0.39V at 2A / I
R
=50µA at 30V)
5 4
1
2
2.6
±
0.2
4.5
±
0.2
0.1
±
0.02
0.1
2.0
±
0.2
ROHM : PMDS
EIAJ :
1 2 Manufacturing date EX2003.9
JEDEC :
5.0
±
0.3
3.9
Structure
Silicon Epitaxial Planer
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
Reverse voltage (DC)
Average rectified forward current
Forward peak surge current (60Hz / 1cyc.)
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
Tj
Tstg
Limits
30
30
2
60
150
−40
to 150
Unit
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Electro static discharge resistance
Symbol
V
F
I
R
C
T
ESD
Min.
Typ.
0.39
50
120
22
Max.
0.44
150
Unit
V
µA
pF
kV
Conditions
I
F
=2A
V
R
=30V
V
R
=10V,
f=1MHz
C=200pF, R=0Ω 1pulse
1/2

 
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