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SM532023084F4G8

产品描述DRAM
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文件大小227KB,共25页
制造商SMART Modular Technology Inc
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SM532023084F4G8概述

DRAM

SM532023084F4G8规格参数

参数名称属性值
Objectid110127887
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99

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SMART
Features
®
SM5320230UUFUGU
September 8, 1997
Modular Technologies
8MByte (2M x 32) DRAM Module - 1Mx16 based
100-pin DIMM, Non-buffered
Part Numbers
SM53202300UFUGU
SM53202301UFUGU
SM53202308UFUGU
SM53202309UFUGU
Standard
:
JEDEC
Configuration
:
Non-ECC
Access Time
:
60/70/80ns
Operation Mode
:
FPM/EDO
Operating Voltage :
3.3/5.0V
Refresh
:
1K/4K
Device Physicals
:
400mil SOJ/TSOP
Lead Finish
:
Gold
Length x Height
:
3.550" x 1.000"
No. of sides
:
Double-sided
Mating Connector (Examples)
Vertical
:
AMP-390070-6 (3.3V, Gold)
:
:
:
:
FPM, 5.0V
FPM, 3.3V
EDO, 5.0V
EDO, 3.3V
Note: Refer last page for all "U” options.
Functional Diagram
RAS0#
CAS0#
CAS1#
WE#
OE#
1Mx16
DRAM
1Mx16
DRAM
RAS2#
CAS2#
CAS3#
1Mx16
DRAM
RAS1#
DQ0~DQ15
1Mx16
DRAM
RAS3#
DQ16~DQ31
DQ0~DQ31
SA0~SA2
SCL
Notes : 1. A0~A9/A10 & A11 are connected to all DRAMs
(A10 & A11 are NC for 1K refresh module).
2. Data is terminated using 10
series resistors.
3. Refer to note on page 2 for details on CAS# control
scheme.
A0~A2 SDA
SCL
SERIAL PD
EEPROM
SDA
V
CC
V
SS
Decoupling capacitors
to all devices.
( All specifications of this device are subject to change without notice.)
C
orporate Headquarters:
4305 Cushing Pkwy., Fremont, CA 94538, USA • Tel:(510) 623-1231 • Fax:(510) 623-1434 • E-mail: info@smartm.com
Europe:
36 Linford Forum, Rockingham Dr., Linford Wood, Milton Keynes, MK14 6LY, UK • Tel: + 44-1908 234030 • Fax: + 44-1908-234191
Asia/Pacific:
Suite 6A, 64 Canning Hwy., Victoria Park, Perth, WA 6106, Australia • Tel: + 61-9-361-9705 • Fax: + 61-9-361-9715
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