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934064271118

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小485KB,共15页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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934064271118概述

Power Field-Effect Transistor

934064271118规格参数

参数名称属性值
Objectid8254313422
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Date Of Intro2017-02-01
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)25 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)42 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)168 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
说说对二极管参数的了解,工程师设计需要知道哪些关键参数?
(1)最大反向工作电压:二极管在常温条件下工作时允许外加的最大反向电压值。(2)平均整流电流Io:二极管在常温条件下工作所允许通过的最大正向平均电流。(3)反向电流:二极管在常温条件下,和最高反向电压作用下,流过二极管的反向电流。(4)正向压降(Vf):二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。(5)反向恢复时间(trr):二极管截止后,从导通到关断所用的时间。(6)最大功率:二极管中有电...
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