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UMZ8.2NT106

产品描述zener diodes 8.2V 200mw
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小130KB,共4页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMZ8.2NT106概述

zener diodes 8.2V 200mw

UMZ8.2NT106规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性HIGH RELIABILITY
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗30 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
膝阻抗最大值60 Ω
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压8.2 V
最大反向电流0.5 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
工作测试电流5 mA

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UMZ8.2N
Diodes
Zener diode
UMZ8.2N
Application
Voltage regulation
(Anode common twin type)
External dimensions
(Unit : mm)
Lead size figure
(Unit : mm)
Features
1) Small mold type. (UMD3)
2) High reliability.
Each lead has same dimension
Structure
Silicon epitaxial planer
Structure
Taping dimensions
(Unit : mm)
Absolute maximum ratings
(Ta=25 C)
Parameter
Symbol
Power dissipation 1
Junction temperature
Storage temperature
(*1)Total of 2 elements
*
P
Tj
Tstg
Limits
200
150
-55 to +150
Unit
mW
Electrical characteristics
(Ta=25 C)
Parameter
Zener voltage
Reverse current
Dynamic impedance
Rising operating resistance
Symbol
V
Z
I
R
Z
Z
Z
Zk
Min.
7.76
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
Max.
8.64
0.50
30
60
Unit
V
μA
Conditions
I
Z
=5mA
V
R
=5V
I
Z
=5mA
I
Z
=0.5mA
Rev.B
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