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CTLDM3590 TR

产品描述mosfet smd Sm signal mosfet N-channel enh mode
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共5页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CTLDM3590 TR概述

mosfet smd Sm signal mosfet N-channel enh mode

CTLDM3590 TR规格参数

参数名称属性值
ManufactureCentral Semiconduc
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSYes
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage8 V
Id - Continuous Drain Curre160 mA
Rds On - Drain-Source Resistance3 Ohms
Qg - Gate Charge0.458 nC
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipati125 mW
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TLM3D6D8
系列
Packaging
Reel
Channel ModeEnhanceme
Forward Transconductance - Mi1.3 S
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000

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CTLDM3590
SURFACE MOUNT
N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
SILICON MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLDM3590 is
an enhancement-mode N-channel MOSFET designed
for applications including high speed pulsed amplifiers
and drivers. This MOSFET has beneficially low
rDS(ON), low threshold voltage, and very low gate
charge characteristics.
MARKING CODE: 1
TLM3D6D8 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power Switches
• Boost/Buck Converters
• Battery Charging/Power Management
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State)
Pulsed Drain Current, tp=10μs
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
• ESD protection up to 2kV
• Power dissipation: 125mW
• Low rDS(ON)
• Low threshold voltage
• Ultra small, ultra low profile 0.6mm x 0.8mm x 0.4mm
TLM
TM
leadless surface mount package
SYMBOL
VDS
VGS
ID
ID
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
20
8.0
160
800
125
-65 to +150
1000
UNITS
V
V
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless
SYMBOL
TEST CONDITIONS
IGSSF, IGSSR VGS=5.0V, VDS=0
IDSS
VDS=5.0V, VGS=0
IDSS
VDS=16V, VGS=0
BVDSS
VGS=0, ID=250μA
VGS(th)
VDS=VGS, ID=250μA
rDS(ON)
VGS=4.5V, ID=100mA
rDS(ON)
VGS=2.5V, ID=50mA
rDS(ON)
VGS=1.8V, ID=20mA
rDS(ON)
VGS=1.5V, ID=10mA
rDS(ON)
VGS=1.2V, ID=1.0mA
Qg(tot)
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA
Qgs
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA
Qgd
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=100mA
gFS
VDS=5.0V, ID=125mA
Crss
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
Ciss
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
Coss
VDS=15V, VGS=0, f=1.0MHz
ton
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
toff
VDD=10V, VGS=4.5V, ID=200mA
otherwise noted)
MIN
TYP
MAX
100
50
100
1.0
3.0
4.0
6.0
10
20
0.4
1.5
2.0
3.0
4.0
7.0
0.458
0.176
0.138
1.3
2.2
9.0
3.0
25
85
UNITS
nA
nA
nA
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
nC
nC
nC
S
pF
pF
pF
ns
ns
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