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ALD1103SBL: 产品描述mosfet dual P&N-Ch. pair; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小97KB，共9页; 制造商All Sensors; 标准

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ALD1103SBL概述

mosfet dual P&N-Ch. pair

ALD1103SBL规格参数

参数名称	属性值
Manufacture	Advanced Linear Devices
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Yes
Transistor Polarity	N and P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	13.2 V
Id - Continuous Drain Curre	40 mA, - 16 mA
Configurati	Quad
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Pd - Power Dissipati	500 mW
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-14
Channel Mode	Enhanceme
Forward Transconductance - Mi	0.013 S, 0.004 S
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	25

ALD1103SBL相似产品对比

	ALD1103SBL	ALD1103PBL
描述	mosfet dual P&N-Ch. pair	mosfet dual P&N-Ch. pair
Manufacture	Advanced Linear Devices	Advanced Linear Devices
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET
RoHS	Yes	Yes
Transistor Polarity	N and P-Channel	N and P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	12 V	12 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	13.2 V	13.2 V
Id - Continuous Drain Curre	40 mA, - 16 mA	40 mA, - 16 mA
Configurati	Quad	Quad
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 70 C	+ 70 C
Pd - Power Dissipati	500 mW	500 mW
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	Through Hole
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-14	PDIP-14
Channel Mode	Enhanceme	Enhanceme
Forward Transconductance - Mi	0.013 S, 0.004 S	0.011 S, 0.004 S
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	0 C	0 C
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	25	25

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