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BYV27-100

产品描述2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小72KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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BYV27-100概述

2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP

BYV27-100规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Code_compli
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

BYV27-100相似产品对比

BYV27-100 UES1102 UES1101 BYV27-150 BYV27-50
描述 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 2 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AP
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code _compli - compli _compli compli
应用 EFFICIENCY - EFFICIENCY EFFICIENCY EFFICIENCY
外壳连接 ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V - 0.975 V 1.25 V 1.25 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A - 35 A 50 A 50 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2
最高工作温度 175 °C - 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 2 A - 2.5 A 2 A 2 A
封装主体材料 GLASS - GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 1 µA - 2 µA 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 0.025 µs - 0.025 µs 0.025 µs 0.025 µs
表面贴装 NO - NO NO NO
端子形式 WIRE - WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL
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