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BC 807U E6327

产品描述transistors bipolar - bjt pnp silicon AF transistor array
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小519KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准  
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BC 807U E6327概述

transistors bipolar - bjt pnp silicon AF transistor array

BC 807U E6327规格参数

参数名称属性值
ManufactureInfine
产品种类
Product Category
Transistors Bipolar - BJT
RoHSYes
ConfiguratiDual
Transistor PolarityPNP
Collector- Base Voltage VCBO50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max45 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage0.7 V
Maximum DC Collector Curre500 mA
Gain Bandwidth Product fT200 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SC-74-6
Continuous Collector Curre0.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Mi160 at 100 mA at 1 V
DC Current Gain hFE Max400 at 100 mA at 1 V
Maximum Power Dissipati330 mW
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000

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BC807U
PNP Silicon AF Transistor Array
For AF input stages and driver applications
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Two (galvanic) internal isolated Transistor
with good matching in on package
Pb-free (RoHS compliant) package
Qualified according AEC Q101
4
5
6
1
2
3
C1
6
B2
5
E2
4
TR2
TR1
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07175
Type
BC807U
Maximum Ratings
Parameter
Marking
5Bs
Pin Configuration
Package
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Value
45
50
5
500
1000
100
200
330
150
-65 ... 150
Unit
V
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current,
t
p
10 ms
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
115 °C
Junction temperature
Storage temperature
mA
mW
°C
1
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